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廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時間
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2024-06-05
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詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,能源,電子/電池,航空航天,綜合 |
RTP4-1200型全溫區(qū)快速退火爐
關(guān)鍵詞：快速退火爐，RTP, 200℃/S
RTP4-1200型快速退火爐快速熱處理退火爐簡稱 RTP（Rapid Thermal Processing Furnace），在吸收了生產(chǎn)制造工藝的基礎(chǔ)上自主研發(fā)了該款產(chǎn)品。該設(shè)備不但擁有極快的升溫速率200℃/S，而且在燒結(jié)工藝運行完結(jié)，直接將試樣在高溫區(qū)取出。實現(xiàn)物理狀態(tài)下的最快降溫。我們的工程師們巧妙地利用了冷壁工藝，在綠色節(jié)能環(huán)保的基礎(chǔ)上真正的實現(xiàn)了試樣的極速升降溫.多重保護功能，過溫報警，過熱報警，過熱自動保護，水壓報警，水壓異常自動保護是材料研究的重要設(shè)備，目前在各大高校，科研院所及生產(chǎn)單位廣泛使用。
一、RTP4-1200型快速退火爐應(yīng)用領(lǐng)域
快速熱退火 (RTA); 離子注入后退火
石墨烯等氣象沉積，碳納米管等外延生長
快速熱氧化 (,RTO); 熱氮化 (RTN);
硅化 (Silicidation);
擴散 (Diffusion);
離子注入后退火 (Implant Annealing);
電極合金化 (Contact Alloying);
晶向化和堅化 (Crystallization and Densification);
化合物半導(dǎo)體：
√LED芯片
√光通訊芯片
√射頻芯片
√功率半導(dǎo)體芯片
2.應(yīng)用的工藝：
√離子注入后快速退火
√ITO鍍膜后快速退火
3.其他應(yīng)用領(lǐng)域：
氧化物、氮化物生長
硅化物合金退火
砷化鎵工藝
歐姆接觸快速合金
氧化回流
其他快速熱處理工藝
產(chǎn)品特點：
可測大尺寸樣品：可測單晶片樣品的尺寸為1-8英寸。
壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設(shè)計：高精度控制壓力，以滿足不同的工藝要求。
存儲熱處理工藝：方便工藝參數(shù)調(diào)取，提高實驗效率，數(shù)據(jù)可查詢。
快速升溫：最高升溫速率可達200℃/s。
程序設(shè)定與氣路擴展：可實現(xiàn)不同溫度段的精確控制，進行降溫段的自動轉(zhuǎn)接，并能夠?qū)に嚥藛芜M行保存，方便調(diào)用。采用MFC精確控制氣體流量，最多可支持6路氣體，實現(xiàn)不同氣氛環(huán)境（真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等）下的熱處理。
全自動智能控制：采用全自動智能控制，包括溫度、時間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實現(xiàn)自動控制。
超高安全系數(shù)：采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權(quán)限保護以及設(shè)備急停安全保護三重安全措施，保障設(shè)備使用安全。
分區(qū)控溫：分區(qū)域控制加熱功率，提高溫度均勻性。
RTP4-1200型快速退火爐主要技術(shù)參數(shù)：
溫度范圍 | 100 – 1300 ℃ |
升溫速率 | 2 — 200 ℃/秒可調(diào) |
密封石英腔內(nèi)面尺寸 | 215 X 140X 14 毫米 |
樣品最大尺寸 | 4英寸 |
計算機控制器 | PC 機控制，內(nèi)存 4G,500G硬盤，處理器：I3 以上及快速熱處理編程控制軟件RTP-500的控制軟件. |
溫度設(shè)定范圍 | 100-1300℃ |
溫度重復(fù)性 | +/-1℃ 6區(qū)控溫 |
測溫精確度 | 100-1300全溫度段精度>0.5% |
測溫裝置 | K型熱電偶 |
溫度曲線 | 自動記錄，保存，文本格式轉(zhuǎn)換，支持彩色分頁打印 |
1000℃連續(xù)工作時間 | 雙閉環(huán)溫度控制,穩(wěn)態(tài)溫度穩(wěn)定性±2℃ ,1000℃連續(xù)工作>1小時 |
光源 | 1.25KW X 13 鹵鎢燈 |
電源 | 380 V 40A 三相 四線(三火線, 零線)，50/60Hz |
水源 | 自來水或循環(huán)水, 水壓 1—3 kg / 平方厘米, 流量6-8升/分 |
冷卻方式 | 水冷，風(fēng)冷,氣冷 |
安全裝置 | 過溫報警，過熱報警，過熱自動保護，水壓報警，水壓異常自動保護 |
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